etched echelle grating-on-a-chip spectrometer
German translation: Spektrometer mit auf einem Chip integriertem Echellegitter
| GLOSSARY ENTRY (DERIVED FROM QUESTION BELOW) | ||||||
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| 12:36 Sep 18, 2007 |
| English to German translations [PRO] Tech/Engineering - Electronics / Elect Eng | |||||||
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|  Selected response from: Detlef Mahne (X) India Local time: 12:37 | ||||||
Grading comment
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| 4 | Mikrospektrometer mit geätztem Echelle-Gitter |
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| 3 | s.u. |
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| Discussion entries: 8 | |
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Answers
3 hrs confidence: 
Mikrospektrometer mit geätztem Echelle-Gitter Explanation: Kontext der Patentbeschreibung ist offenbar die Mikrooptik, wobei hier u.a. monolithische Spektrometer mit (geätzten) Echelle-Gittern angesprochen werden ("Chip-Spektrometer" mit Echelle-Gittern). s. a.: http://de.wikipedia.org/wiki/Echellegitter Auf Basis innovativer Mikrospektrometer entstehen aufgaben- und kundenspezifisch immer wieder neue Lösungen. So klein und robust, dass komplexe, bislang auf das Labor beschränkte spektrometrische Verfahren mobil werden. Den Grundstein unserer Innovationen legte die LIGA-Technologie und die Entwicklung des weltweit kleinsten Gitterspektrometers. Es konzentriert ***alle optischen Elemente auf nur einem einzigen Chip***. http://www.boehringer-ingelheim.de/service/serviceshop/pdf/B... |
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4 hrs confidence:
s.u. Explanation: Different DWDM technologies are known, including: thin film filters, fiber Bragg gratings, phased arrayed waveguide gratings (AWG) and etched echelle grating-on-a-chip spectrometers. The integrated devices have many advantages such as compactness, reliability, reduced fabrication and packaging costs, and potential monolithic integration with active devices of different functionalities. However, it is generally recognized at present that thin film filters and fiber Bragg grating based demultiplexers are more suitable for low channel count devices, while AWG and echelle grating based waveguide demultiplexers are better suited for large channel count devices. Ich vermute, so sieht ein Teil des Textes aus! Da es sich um einen "Bidirectional multiplexer and demultiplexer based on a single echelle waveguide grating" handelt, habe ich zum Thema "waveguide grating" das gefunden: http://www.itwissen.info/definition/lexikon//_awgawg_awgarra... Das Arrayed Waveguide Grating (AWG) gehört ebenso wie das Phase Array (PHASAR) zu den planaren optischen Filtern, die auf dotiertem Silizium-Oxyd basieren. Bei diesen optischen Komponenten wird das Licht am Eingang des Chips aufgefächert, vergleichbar mit der Funktion eines Prismas, und durch mehrere Glasfasern mit geringfügig unterschiedlichen Längen geführt. Durch Lichtinterferenzen kommt es beim Zusammenführen der Lichtsignale zur Auslöschung oder zur Verstärkung einzelner Wellenlängen. Diese Technik kann als integrierte Technik angewandt werden, wobei weitere aktive oder passive Komponenten auf dem Chip integriert werden können. Ich denke man muss "etched echelle grating-on-a-chip spectrometer" mehr interpretieren als übersetzen, da es nirgendswo konkrete und feste Hinweise gibt. Auffällig ist die Schreibweise von "grating-on-a-chip", was mM darauf schließen lässt, dass das Echelle-Gitter sich auf dem Chip befindet (siehe AWG - ...wird das Licht am Eingan des Chips aufgefächert). Also müsste es sich um folgende Varianten handeln: Echelle-Spektrometer mit auf dem Chip integriertem Gitter oder Spektrometer mit auf dem Chip integriertem Echellegitter (Echelle-Gitter) Wie gesagt, das sind mehr Interpretationen, da es nirgendswo genauere Hinweise oder Treffer gibt. Auch wenn "etched (geätzt)" davor steht, glaube ich, dass es sich eher um (wie oben erwähnt) dotiertes Silizium-Oxyd handelt als um einen Ätz-Vorgang. http://de.wikipedia.org/wiki/Integrierter_Schaltkreis monolithische Schaltkreise, es werden alle Baulemente auf einem einzigen Stück (Substrat) einkristallinen Halbleitermaterials (Chip) hergestellt. Die Schaltkreise werden dabei meist durch Dotierung oder Epitaxie an der Oberfläche des Substratmaterials (Dioden, Transistoren, bis zu einigen Mikrometern ober- und unterhalb der ursprünglichen Oberfläche) oder durch Schichtauftrag (Widerstände, Leiterzüge, Kondensatoren, Isolationen, Gates von MOSFET) gefertigt. Technologie-Beispiele: TTL-, CMOS-, CCD-, BiCMOS-, DMOS-, BiFET-, Bipolar-Technologie. -------------------------------------------------- Note added at 5 Stunden (2007-09-18 18:26:23 GMT) -------------------------------------------------- Am Anfang des Textes wurde DWDM-Technologie erwähnt: DWDM ist ein optisches Wellenlängenmultiplex mit der enormen Leistungsfähigkeit von mehreren Tbit/s. Bei der DWDM-Technik wird der Wellenlängenbereich zwischen 1.260 nm und 1.675 nm für die Übertragung im Weitverkehrsbereich benutzt, der in drei Wellenlängenbänder, dem S-Band, C-Band und L-Band unterteilt ist. Als Grundwellenlänge wird die Wellenlänge des optischen Fensters bei 1.550 nm verwendet, auf die bis zu 160 unterschiedliche Wellenlängen symmetrisch aufmoduliert werden. Diese werden dann über eine Glasfaser übertragen und empfangsseitig durch optische Filter wieder voneinander getrennt. http://www.itwissen.info/definition/lexikon//_dwdmdwdm_dwdmd... -------------------------------------------------- Note added at 15 Stunden (2007-09-19 04:31:26 GMT) -------------------------------------------------- In sci-trans Vorschlag ist unter anderem von "Mikrofluidik - Lab on a Chip-Systeme aus Kunststoffen" die Rede: Hier ist die Antwort dazu: http://www.fzk.de/fzk/groups/nanomikro/documents/internetdok... Unter dem Punkt "Anwendung" findet man: Kapillar-Fluidik, Lab-on-Chip, optische Wellenleiter Es handelt sich hier um optische Lithographie und das ist "KEIN ÄTZ-VERFAHREN"! Siehe auch die Erklärung dazu: http://de.wikipedia.org/wiki/Fotolithografie Optische Lithografie Bei der optischen Lithografie wird die Struktur einer Fotomaske mittels Schattenwurf oder Projektion in einen lichtempfindlichen Fotolack übertragen. Die Auflösung wird im wesentlichen von der verwendeten Lichtwellenlänge bestimmt. In der Regel werden Quecksilberlampen mit 365 nm (I-Linie), KrF-Excimerlaser mit 248 nm oder ArF-Excimerlaser mit 193 nm Wellenlänge verwendet. Damit lassen sich mit der entsprechenden Optik aus Quarz oder Calciumfluorid Linienbreiten von unter 100 nm (KrF, ArF-Laser) erzeugen. Durch spezielle Techniken (z. B. Phasenmasken) lassen sich aber auch deutlich kleinere Strukturbreiten herstellen (Stand 2006: 65 nm mit 193 nm ArF Excimerlaser, bzw. 40 nm wenn zusätzlich die Immersion eingesetzt wird). Da das "ECHELLE-GITTER" aus speziellen "Beugungsgittern" besteht, lassen sich diese durch die optische Lithographie auf den Chip übertragen! |
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