GLOSSARY ENTRY (DERIVED FROM QUESTION BELOW) | ||||||
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20:35 Apr 24, 2008 |
English to German translations [PRO] Tech/Engineering - Electronics / Elect Eng / power supply systems | |||||||
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| Selected response from: Ruth Wiedekind Germany Local time: 22:38 | ||||||
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Summary of answers provided | ||||
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4 | Gate-Treiber |
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3 | Gatteransteuerung / Gattertreiber |
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Gate-Treiber Explanation: Häufig werden Englische Ausdrücke unverändert in die deutsche Sprache übernommen. So auch hier. Gate Drive findet sich fast überall. ABB's IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Gate Drive wurde nach Kundenspezifikationen entwickelt. Der IGBT Gate Drive ist geeignet, grosse IGBTs in Traktionsumrichtern oder Hochleistungsumrichtern für statische Anwendungen bis zu 2500V und 1200A und mehr zu steuern. http://www.abb.de/product/seitp322/5eb8b4bac00f2c6cc1256f340... Aber manchmal gibt es doch eine brauchbare Übersetzung: Avago Technologies kündigte heute die neueste Ergänzung seiner intelligenten Gate-Drive-Optokoppler Familie an. .. Wichtige Produkte sind Mehrkanal- und bi-direktionale digitale Optokoppler, intelligente Leistungsmodul Gate-Driver Interface Bauteile, digitale 3,3V und 5 V Koppler, digitale 100 kBD bis 50 MBd Logistik-Gate Optokoppler, elektromagnetische 100 MBd Isolatoren, Gate-Treiber und Stromsensor Optokoppler, analoge und hermetisch gekoppelte Hochleistungs Optokoppler. http://www.electronic-data.com/een/hro/13_119.asp Gate bedeutet eigentlich "Gitter" oder "Gatter". Ich würde dies aber nicht übersetzen, weil Gitter an Röhren erinnert, während "Gate" die Eingangselektrode eines Feldeffekt-Transistors meint. Gatter sind Logikschaltungen. In der vorliegenden Arbeit wird die Entwicklung vertikaler Double-Gate-Feldeffekttransistoren vorgestellt, ein Transistortyp, bei dem der p-n-p- (bzw. n-p-n-)Übergang vertikal angeordnet ist und somit der Source-Drain-Strom senkrecht zur Waferoberfläche fließt. http://darwin.bth.rwth-aachen.de/opus/volltexte/2004/873/ Im Gegensatz zu Bipolartransistoren (stromgesteuert) sind Feldeffekttransistorn spannungsgesteuerte Schaltungselemente. Die Ansteuerung erfolgt über die Gate-Source-Spannung, welche zur Regulation des Kanalquerschnittes bzw. oder der Ladungsträgerdichte dient, d. h. des Halbleiter-Widerstands, um so elektrischen Strom zu schalten oder zu verstärken. Der FET verfügt über drei Anschlüsse: Source (engl. für „Zufluss“, „Quelle“) Gate (engl. für „Tor“, „Gatter“) Drain (engl. für „Senke“, „Abfluss“) http://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistor |
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Gatteransteuerung / Gattertreiber Explanation: Es gibt deutsche Begriffe, in der Industrie ist Johannes "Gate-Treiber" aber am häufigsten vertreten. Integrierte Steuerschaltung mit stabiler Bootstrap ...- ... wobei die High-Side-Gatteransteuerung (111) als Eingang ein Signal aus einem ... eine Low-Side-Gatteransteuerung (113) zur selektiven Steuerung des ... www.patent-de.com/20060817/EP1408612.html FUNKSYSTEM UND -VERFAHREN MIT FET-MISCHER UND ...Umwandlungsverluste, Rauschzahl und Intermodulationsunterdrückung werden durch die Verwendung einer Rechteckwellen-Gatteransteuerung sogar weiter verbessert ... www.patent-de.com/20060524/DE69926182T2.html Bi-direktionale Stromerkennung durch Überwachen der VS Spannung in ...Gattertreiber für eine mit einer Brückenschaltung geschaltete Ausgangsschaltung eines Transistors mit einem high-side und einem low-side Schalttransistor, ... www.patent-de.com/20070503/DE112005001308T5.html -------------------------------------------------- Note added at 11 hrs (2008-04-25 08:20:05 GMT) -------------------------------------------------- Zu einem anderen FET (JFET von Siemens): http://www.wipo.int/pctdb/en/wo.jsp?IA=WO2004070849&DISPLAY=... (zweisprachige Zusammenfassung) (WO/2004/070849) DEPLETION LAYER FIELD EFFECT TRANSISTORBei angelegter positiver Spannung an der Senke D und negativer Spannung am Gatter G, sowie geerdeter Quelle S, bildet sich um den zylinderförmigen ... www.wipo.int/pctdb/en/wo.jsp?IA=WO2004070849&DISPLAY=DESC |
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