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well (nel contesto)

Italian translation: pozzo di potenziale

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GLOSSARY ENTRY (DERIVED FROM QUESTION BELOW)
English term or phrase:well (nel contesto)
Italian translation:pozzo di potenziale
Entered by: Science451
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14:22 Aug 31, 2006
English to Italian translations [PRO]
Tech/Engineering - Electronics / Elect Eng / DRAM memory process
English term or phrase: well (nel contesto)
A buried *well* comprising n-type dopants, such as P, is provided below the surface of the substrate.

Mi serve il vocabolo italiano utilizzato nel linguaggio dei semiconduttori...
Franco Mori
Italy
Local time: 18:29
pozzo
Explanation:
Un fotone che interagisce col silicio crea una coppia elettrone-buco:l'elettrone è assorbito nella regione svuotata (**pozzo**, potential well).
La capacità del pozzo (numero di elettroni che può contenere)dipende dalla superficie del gate, dalla tensione applicata e dallospessore dello strato di ossido di silicio (condensatore).
CCD: trasferimento della carica
Un potenziale a distribuzione spaziale periodica alla superficie del ***semiconduttore*** mantiene la carica in ciascuno dei pozzi. Modificando momentaneamente il potenziale con un impulso si travasano le cariche da un **pozzo** al suo vicino. (shift register analogico)
www.ph.unito.it/dottorato/innocenti 2006/lect06_3pix.pdf
Selected response from:

Science451
Italy
Local time: 18:29
Grading comment
Grazie! Ho scelto questa risposta perché è tecnicamente più corretta anche se non mi piace. Ho comunque specificato "pozzo di potenziale"
4 KudoZ points were awarded for this answer

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Summary of answers provided
4 +1lacuna
gianfranco
3 +1pozzoScience451


  

Answers


34 mins   confidence: Answerer confidence 4/5Answerer confidence 4/5 peer agreement (net): +1
lacuna


Explanation:
Non sono sicurissimo, ma credo che si tratti delle "lacune"
Sto controllando...

G.

--------------------------------------------------
Note added at 39 mins (2006-08-31 15:02:17 GMT)
--------------------------------------------------

Cito da http://www.diegm.uniud.it/selmi/e2/Tesi/Toffoletti.pdf
una tesi di laurea, in cui trovo quanto segue (pag.20):

Per aumentare l’efficienza d’iniezione del CHE (§1.1.1) e del CHISEL (§1.1.2) sono state
proposte in letteratura altre strutture di cella che fanno uso dell’iniezione di elettroni da substrato
e della raccolta di tali portatori all’interno della regione svuotata sotto il gate.
Questi iniettori possono presentarsi sotto forma di:
² strati sepolti (N-Well), i cui svantaggi sono
– la non selettività del meccanismo di iniezione degli elettroni (schemi di cancellazione per
celle DINOR con “tripla well”2, o celle VIPMOS con scrittura ottenuta tramite punchtrough
della tasca sepolta),
– le problematiche di efficienza con lo scaling del dispositivo (source e drain sono collettori
parassiti);
² transistori bipolari (npn) laterali (proposti da Eitan fin dal 1984), i cui svantaggi sono:
– la bassa efficienza di collettore che viene, inoltre, drammaticamente ridotta dallo scaling
del dispositivo,
– la non selettività del meccanismo di iniezione degli elettroni.
In questo capitolo viene presentata una nuova architettura di cella NVM chiamata bipolar
flash (BipFlash) [11] [12] [13] [14] che utilizza l’iniezione di elettroni caldi generati nella regione
svuotata grazie alla ionizzazione da impatto di lacune opportunamente iniettate. Questo
meccanismo evita i problemi derivanti dall’implementazione di iniettori da substrato ed utilizza
un fenomeno di Impact Ionization Feedback (IIF - §1.1.2) simile al meccanismo sfruttato nel
CHISEL (§1.1.2), ma con una sorgente di lacune totalmente diversa.


Cita degli "strati seplti" e li chiama "N-Well", quindi potrebbe essere "strato sepolto" invece che lacuna,
(a meno che i due concetti non siano in qualche modo equivalenti)

ciao
G

--------------------------------------------------
Note added at 45 mins (2006-08-31 15:08:02 GMT)
--------------------------------------------------

Altro esempio, meno lungo...
da http://www.ifn.cnr.it/Groups/SQC/Archives/lectures/part_3.PD...
alla pagina 14

Transistor CMOS.
· due tipi di transistor (N-MOS e P-MOS) in serie nello
stesso dispositivo

· questo impedisce che scorra corrente nel dispositivo in
condizioni statiche, perché uno dei due transistor è sempre
polarizzato inversamente; solo quando vi è uno switch,
c’è anche una piccola corrente dinamica

· si modifica il substrato (tipo n nel disegno) inserendo
una regione drogata di segno opposto e di spessore
sufficientemente elevato

· in questa zone, detta “well”, si costruisce il secondo
transistor (nell’esempio, nchannel MOS)


dove compare che "well" significa substrato ... etc..


GF.


gianfranco
Brazil
Local time: 13:29
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PRO pts in category: 248
Notes to answerer
Asker: le lacune (chiamate anche buche) corrispondono a *hole* e formalmente sono trattate come cariche positive che vengono catturate nel *well*, che è effettivamente un *pozzo* di potenziale. Ma in italiano si può chiamare *pozzo*? Io non ho trovato riferimenti con questo termine


Peer comments on this answer (and responses from the answerer)
agree  Vittorio Preite: ho trovato spesso l"acune" nei testi di elettronica e mai "pozzi" che sembra la preferenza del laurenado di cui sotto.
1 day5 hrs
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1 hr   confidence: Answerer confidence 3/5Answerer confidence 3/5 peer agreement (net): +1
pozzo


Explanation:
Un fotone che interagisce col silicio crea una coppia elettrone-buco:l'elettrone è assorbito nella regione svuotata (**pozzo**, potential well).
La capacità del pozzo (numero di elettroni che può contenere)dipende dalla superficie del gate, dalla tensione applicata e dallospessore dello strato di ossido di silicio (condensatore).
CCD: trasferimento della carica
Un potenziale a distribuzione spaziale periodica alla superficie del ***semiconduttore*** mantiene la carica in ciascuno dei pozzi. Modificando momentaneamente il potenziale con un impulso si travasano le cariche da un **pozzo** al suo vicino. (shift register analogico)
www.ph.unito.it/dottorato/innocenti 2006/lect06_3pix.pdf

Science451
Italy
Local time: 18:29
Native speaker of: Native in ItalianItalian
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Grazie! Ho scelto questa risposta perché è tecnicamente più corretta anche se non mi piace. Ho comunque specificato "pozzo di potenziale"

Peer comments on this answer (and responses from the answerer)
agree  chemwiz: Concordo.Vedi http://www.fis.unipr.it/~fermi/Camere_digitali/GCA_Camdig_Fo...
14 hrs
  -> grazie, Alfonso:-)
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