well (nel contesto)
Italian translation: pozzo di potenziale
| GLOSSARY ENTRY (DERIVED FROM QUESTION BELOW) | ||||||
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| 14:22 Aug 31, 2006 |
| English to Italian translations [PRO] Tech/Engineering - Electronics / Elect Eng / DRAM memory process | |||||||
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|  Selected response from: Science451 Italy Local time: 00:37 | ||||||
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| 4 +1 | lacuna |
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| 3 +1 | pozzo |
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Answers
34 mins confidence: 
peer agreement (net): +1
peer agreement (net): +1lacuna Explanation: Non sono sicurissimo, ma credo che si tratti delle "lacune" Sto controllando... G. -------------------------------------------------- Note added at 39 mins (2006-08-31 15:02:17 GMT) -------------------------------------------------- Cito da http://www.diegm.uniud.it/selmi/e2/Tesi/Toffoletti.pdf una tesi di laurea, in cui trovo quanto segue (pag.20): Per aumentare l’efficienza d’iniezione del CHE (§1.1.1) e del CHISEL (§1.1.2) sono state proposte in letteratura altre strutture di cella che fanno uso dell’iniezione di elettroni da substrato e della raccolta di tali portatori all’interno della regione svuotata sotto il gate. Questi iniettori possono presentarsi sotto forma di: ² strati sepolti (N-Well), i cui svantaggi sono – la non selettività del meccanismo di iniezione degli elettroni (schemi di cancellazione per celle DINOR con “tripla well”2, o celle VIPMOS con scrittura ottenuta tramite punchtrough della tasca sepolta), – le problematiche di efficienza con lo scaling del dispositivo (source e drain sono collettori parassiti); ² transistori bipolari (npn) laterali (proposti da Eitan fin dal 1984), i cui svantaggi sono: – la bassa efficienza di collettore che viene, inoltre, drammaticamente ridotta dallo scaling del dispositivo, – la non selettività del meccanismo di iniezione degli elettroni. In questo capitolo viene presentata una nuova architettura di cella NVM chiamata bipolar flash (BipFlash) [11] [12] [13] [14] che utilizza l’iniezione di elettroni caldi generati nella regione svuotata grazie alla ionizzazione da impatto di lacune opportunamente iniettate. Questo meccanismo evita i problemi derivanti dall’implementazione di iniettori da substrato ed utilizza un fenomeno di Impact Ionization Feedback (IIF - §1.1.2) simile al meccanismo sfruttato nel CHISEL (§1.1.2), ma con una sorgente di lacune totalmente diversa. Cita degli "strati seplti" e li chiama "N-Well", quindi potrebbe essere "strato sepolto" invece che lacuna, (a meno che i due concetti non siano in qualche modo equivalenti) ciao G -------------------------------------------------- Note added at 45 mins (2006-08-31 15:08:02 GMT) -------------------------------------------------- Altro esempio, meno lungo... da http://www.ifn.cnr.it/Groups/SQC/Archives/lectures/part_3.PD... alla pagina 14 Transistor CMOS. · due tipi di transistor (N-MOS e P-MOS) in serie nello stesso dispositivo · questo impedisce che scorra corrente nel dispositivo in condizioni statiche, perché uno dei due transistor è sempre polarizzato inversamente; solo quando vi è uno switch, c’è anche una piccola corrente dinamica · si modifica il substrato (tipo n nel disegno) inserendo una regione drogata di segno opposto e di spessore sufficientemente elevato · in questa zone, detta “well”, si costruisce il secondo transistor (nell’esempio, nchannel MOS) dove compare che "well" significa substrato ... etc.. GF. |
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peer agreement (net): +1pozzo Explanation: Un fotone che interagisce col silicio crea una coppia elettrone-buco:l'elettrone è assorbito nella regione svuotata (**pozzo**, potential well). La capacità del pozzo (numero di elettroni che può contenere)dipende dalla superficie del gate, dalla tensione applicata e dallospessore dello strato di ossido di silicio (condensatore). CCD: trasferimento della carica Un potenziale a distribuzione spaziale periodica alla superficie del ***semiconduttore*** mantiene la carica in ciascuno dei pozzi. Modificando momentaneamente il potenziale con un impulso si travasano le cariche da un **pozzo** al suo vicino. (shift register analogico) www.ph.unito.it/dottorato/innocenti 2006/lect06_3pix.pdf |
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