IBGT
Portuguese translation: transistor bipolar de porta isolada
| GLOSSARY ENTRY (DERIVED FROM QUESTION BELOW) | ||||||
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| 06:46 Mar 23, 2003 |
| English to Portuguese translations [PRO] Tech/Engineering / retificador MLP | |||||||
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|  Selected response from: Roberto Cavalcanti Brazil Local time: 04:45 | ||||||
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| 5 +1 | transistor bipolar de gate isolado |
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| 5 +1 | transistor bipolar de grelha isolada |
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Answers
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peer agreement (net): +1transistor bipolar de gate isolado Explanation: ok Reference: http://www.marcuslisboaa.hpg.ig.com.br/transistor.htm |
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peer agreement (net): +1transistor bipolar de grelha isolada Explanation: + -------------------------------------------------- Note added at 2003-03-23 08:08:59 (GMT) -------------------------------------------------- Também se pode utilizar: Transistor Bipolar de Porta Isolada Os IGBT’s são componentes usados principalmente como comutadores em conversores de freqüência, inversores etc. Nestas aplicações, normalmente uma carga indutiva é ligada e desligada, podendo com isso aparecer tensões inversas elevados, contra as quais o dispositivo deve ser protegido. Essa proteção é feita com o uso de diodos ligados em paralelo com o coletor e o emissor para evitar que uma elevada tensão reversa seja aplicada ao IGBT. Quando o IGBT liga novamente, o fluxo de corrente no diodo funciona inicialmente como se fosse praticamente um curto. A carga armazenada tem que ser removida inicialmente para que o diodo bloqueie a tensão. Isso faz com que apareça uma corrente que se soma à corrente de carga a qual é chamada de corrente reversa de recuperação do diodo IRR. O máximo de corrente IRR ocorre quando a soma das tensões instantâneas sobre o IGBT e o diodo se iguala à tensão de alimentação. Quando o IGBT desliga, o resultado é uma variação de corrente, e isso faz com que o pico de sobretensão apareça devido à variação de corrente nas indutâncias parasitas. Este pico de tensão é responsável por perdas e exige um aumento no tempo morto entre a condução de dois dispositivos semelhantes quando usados numa configuração de meia-ponte, como o que será mostrado no exemplo de aplicação desse dispositivo. http://www.gta.ufrj.br/grad/01_1/igtb/Pagina_IGBT.htm |
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