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IBGT

Portuguese translation: transistor bipolar de porta isolada

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GLOSSARY ENTRY (DERIVED FROM QUESTION BELOW)
English term or phrase:IBGT
Portuguese translation:transistor bipolar de porta isolada
Entered by: Carla Griecco
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06:46 Mar 23, 2003
English to Portuguese translations [PRO]
Tech/Engineering / retificador MLP
English term or phrase: IBGT
- INSULATED GATE bipolar transistor
Carla Griecco
Brazil
Local time: 01:03
transistor bipolar de gate isolado
Explanation:
ok
Selected response from:

Roberto Cavalcanti
Brazil
Local time: 01:03
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Summary of answers provided
5 +1transistor bipolar de grelha isolada
Maria Luisa Duarte
5 +1transistor bipolar de gate isolado
Roberto Cavalcanti


  

Answers


10 mins   confidence: Answerer confidence 5/5 peer agreement (net): +1
transistor bipolar de gate isolado


Explanation:
ok


    Reference: http://www.marcuslisboaa.hpg.ig.com.br/transistor.htm
Roberto Cavalcanti
Brazil
Local time: 01:03
Native speaker of: Portuguese
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agree  Hermann: Transistor Bipolar com Porta Isolada ou com Gate Isloada / IGBT an be used too
2 hrs
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transistor bipolar de grelha isolada


Explanation:
+

--------------------------------------------------
Note added at 2003-03-23 08:08:59 (GMT)
--------------------------------------------------

Também se pode utilizar:

Transistor Bipolar de Porta Isolada

Os IGBT’s são componentes usados principalmente como comutadores em conversores de freqüência, inversores etc. Nestas aplicações, normalmente uma carga indutiva é ligada e desligada, podendo com isso aparecer tensões inversas elevados, contra as quais o dispositivo deve ser protegido. Essa proteção é feita com o uso de diodos ligados em paralelo com o coletor e o emissor para evitar que uma elevada tensão reversa seja aplicada ao IGBT. Quando o IGBT liga novamente, o fluxo de corrente no diodo funciona inicialmente como se fosse praticamente um curto. A carga armazenada tem que ser removida inicialmente para que o diodo bloqueie a tensão. Isso faz com que apareça uma corrente que se soma à corrente de carga a qual é chamada de corrente reversa de recuperação do diodo IRR. O máximo de corrente IRR ocorre quando a soma das tensões instantâneas sobre o IGBT e o diodo se iguala à tensão de alimentação. Quando o IGBT desliga, o resultado é uma variação de corrente, e isso faz com que o pico de sobretensão apareça devido à variação de corrente nas indutâncias parasitas. Este pico de tensão é responsável por perdas e exige um aumento no tempo morto entre a condução de dois dispositivos semelhantes quando usados numa configuração de meia-ponte, como o que será mostrado no exemplo de aplicação desse dispositivo.

http://www.gta.ufrj.br/grad/01_1/igtb/Pagina_IGBT.htm

Maria Luisa Duarte
Spain
Local time: 06:03
Native speaker of: Native in EnglishEnglish, Native in PortuguesePortuguese
PRO pts in pair: 2092

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agree  Hermann: Transistor Bipolar com Porta Isolada ou com Gate Isloada / IGBT an be used too
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