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| | Questions answered: 1 | | 0 entries | Sample translations submitted: 2 French to English: Thomson Monocrystal
General field: Law/Patents
Detailed field: Patents | Source text - French
L'invention concerne un matériau polycristallin de for¬mule
chimique Bi12 Ge O20, les procédés de fabrication
dudit matériau, et les dispositifs de détection de radiations,
notam¬ment de rayons X, utilisant ce matériau
5 On sait réaliser industriellement la synthèse de mono-cristal de Bi12 Ge O20.
Le monocristal possède un fort coefficient d'absorption (de l'ordre de 25.cm-1) pour les rayons X d’énergie moyenne égale à 80 keV. Il est donc utilisable comme détecteur en radiographie X, sous une épaisseur aussi
10 faible que 0,4 mm, mais les monocristaux disponibles actuelle¬ment se prêtent mal à la visualisation de zones de grandes dimensions. Pour de telles applications, il faudrait disposer de plaquettes ou de disques de faible épaisseur et de grandes dimensions latérales. Or les techniques actuelles de synthèse
15 du monocristal ne permettent pas de satisfaire à ces besoins.
L’invention permet d'obtenir des plaques ou des disques
convenant à la visualisation en rayons X de régions ou zones
de grandes dimensions.
L’invention consiste â fabriquer un matériau polycristallin
20 comportant des microcristaux de structure cubique, de dimensions comprises entre 2 et 6 microns, et de formule chimique :
Bi12 Ge O20
en utilisant les techniques de fabrication de la céramique et
des ferrites polycristallins.
25 L’invention porte également sur lés procédés de fabrication
et sur les produits obtenus.
La description qui suit fournit trois méthodes principales et des exemples d'application de ces trois méthodes.
Première méthode :
30 On utilise un procédé comportant les étapes suivantes :
| Translation - English
The invention relates to a poly-crystalline material with
chemical formula Bi12 Ge O20, production processes
of the said material, and devices to detect radiations,
X-rays in particular, using this material.
5 Industrial synthesis of Bi12 Ge O20 mono-crystal is common.
The mono-crystal has a high absorption coefficient (ranging about 25cm-1) in regard to X-rays with average energy equal to 80 keV. Therefore it can be used as a detector in X-ray radiography, for thickness as thin as 0,4 mm, but actually available mono-crystals does not lend themselves to the visualization of areas with important dimensions. For such applications, wafers or disks with little thickness and important lateral dimensions would be available. Yet actual techniques of mono-crystal synthesis
15 does not allow to match those needs.
The invention allows to obtain wafers or disks
suitable to the X-rays visualization of areas or zones with important dimensions.
The invention consist in manufacturing a poly-crystalline material
20 comprising cubical structure micro-crystals, with dimensions ranging between 2 and 6 microns, and with chemical formula:
Bi12 Ge O20
through the use of ceramic and poly-crystalline ferrites manufacture techniques.
25 The invention also relates to the processes of manufacturing and to the resulting products.
The description which follows provides three principal methods and examples of application of those three methods.
First method :
30 A process including the following steps is used :
| French to Japanese: Thomson Monocrystal
General field: Law/Patents
Detailed field: Patents | Source text - French
L'invention concerne un matériau polycristallin de for¬mule
chimique Bi12 Ge O20, les procédés de fabrication
dudit matériau, et les dispositifs de détection de radiations,
notam¬ment de rayons X, utilisant ce matériau
5 On sait réaliser industriellement la synthèse de mono-cristal de Bi12 Ge O20.
Le monocristal possède un fort coefficient d'absorption (de l'ordre de 25.cm-1) pour les rayons X d’énergie moyenne égale à 80 keV. Il est donc utilisable comme détecteur en radiographie X, sous une épaisseur aussi
10 faible que 0,4 mm, mais les monocristaux disponibles actuelle¬ment se prêtent mal à la visualisation de zones de grandes dimensions. Pour de telles applications, il faudrait disposer de plaquettes ou de disques de faible épaisseur et de grandes dimensions latérales. Or les techniques actuelles de synthèse
15 du monocristal ne permettent pas de satisfaire à ces besoins.
L’invention permet d'obtenir des plaques ou des disques
convenant à la visualisation en rayons X de régions ou zones
de grandes dimensions.
L’invention consiste â fabriquer un matériau polycristallin
20 comportant des microcristaux de structure cubique, de dimensions comprises entre 2 et 6 microns, et de formule chimique :
Bi12 Ge O20
en utilisant les techniques de fabrication de la céramique et
des ferrites polycristallins.
25 L’invention porte également sur lés procédés de fabrication
et sur les produits obtenus.
La description qui suit fournit trois méthodes principales et des exemples d'application de ces trois méthodes.
Première méthode :
30 On utilise un procédé comportant les étapes suivantes :
| Translation - Japanese
本発明は、化学式Ｂｉ１２ Ｇｅ Ｏ２０の多結晶材料、前記材料の製造方法、及びこの材料を使用した放射線、特にＸ線の検出装置に関する。
単結晶Ｂｉ１２ Ｇｅ Ｏ２０の合成は工業的に実現することができる。この単結晶は、平均エネルギーが８０ｋｅＶに等しいＸ線について高い吸収係数（２５ｃｍ－１程度）を有する。従って単結晶は、０.４ｍｍ程の薄い厚さでＸ線撮像検出器として利用できるが、現状で利用可能な単結晶は、寸法の大きい領域の可視化には不適である。かかる適用のためには、厚さが薄く、側辺寸法が大きい薄板又はディスクを手に入れる必要がある。しかし、現行の単結晶合成の技術では、こうした要求に応えることができない。
本発明により、寸法の大きい範囲又は領域のＸ線による可視化に好適な薄板又はディスクを得ることができる。
本発明は、寸法が２～６ミクロンであり、且つ化学式が
Ｂｉ１２ Ｇｅ Ｏ２０
の立方晶構造の微結晶を含んでなる多結晶材料を、セラミック及び多結晶フェライトの製造技術を用いて製造することからなる。
本発明はまた、製造方法及び結果として得られる製品にも関する。
以下の説明は、主な３つの方法、及びそれらの３つの方法の適用例を提供する。
第１の方法：
以下のステップを含む方法が用いられる：
|
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In 1994 I settled in Japan and I have been working in the languages field as an Instructor and Interpreter and proofreader ever since.
I was acting as a guide & interpreter for visiting French diplomats and dignitaries while working at the French Embassy in Tokyo; then foreign guest from all around the world after I became self-employed.
I was part of a team of locally recruited official FIA interpreters for the F1 race hold at Fuji Speedway circuit in 2008. |
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Keywords: French & English Translator and Proofreader, patent, engineering, materials, general, IT, computers
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Aug 22, 2011 |
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