Working languages: German to French | Emilie Balieu e-commerce and marketing NA Local time: 08:32 CEST (GMT+2)
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Seit den 90er Jahren werden verstärkt Dünnschichtverfahren zur Herstellung von Solarzellen entwickelt. Hierbei werden photoaktive Halbleiter als dünne Schichten auf ein kostengünstiges Trägermaterial (in den meisten Fällen Glas) aufgebracht. Als Verfahren werden z. B. Aufdampf-Verfahren, Sputter-Verfahren (Kathodenzerstäubung) oder elektrolytische Bäder angewendet. Als Halbleitermaterial wird amorphes Silizium, KupferIndiumDiselenid (CIS) und CadmiumTellurid (CdTe) eingesetzt. Aufgrund der hohen Lichtabsorption dieser Materialien sind Schichtdicken kleiner als 0,001 mm für die Umwandlung des Sonnenlichts theoretisch ausreichend. Die Materialien sind toleranter gegenüber Verunreinigungen mit Fremdatomen. Im Vergleich zur Herstellungstemperatur von bis zu 1.500 °C für kristalline Siliziumzellen werden hier lediglich Abscheidungstemperaturen zwischen 200 °C und 600 °C benötigt. Der geringere Material- und Energieverbrauch und die Möglichkeit des hohen Automatisierungsgrades der Fertigung mit großem Durchsatz bieten beträchtliche Einsparpotenziale gegenüber der kristallinen Siliziumtechnologie.
| Translation - French Photovoltaïque: la technologie en couches minces
Depuis les années 90, la technologie en couches minces connaît pour la fabrication des cellules photovoltaïques un fort développement.
Des semi-conducteurs photosensibles sont déposés en couches minces sur un support peu coûteux (le verre le plus souvent). Les méthodes utilisées sont le dépôt par évaporation, le sputting (pulvérisation cathodique) ou le plaquage par électrolyse. On utilise comme éléments semi-conducteurs le silicium, l’association cuivre-indium-sélénium (CIS) et le tellurure de cadmium (CdTe). Étant donné la bonne absorption lumineuse de ces éléments, une épaisseur de couche inférieure à 0,001 mm est, en théorie, suffisante pour la conversion du rayonnement solaire. Ces matériaux sont moins sensibles aux impuretés. En comparaison avec une température de fabrication allant jusqu’à 1500 °C pour les cellules cristallines au silicium, des températures de 200 °C à 600 °C sont suffisantes pour le dépôt des couches. La faible consommation de matière et d’énergie, la possibilité d’un niveau élevé d’automatisation avec un haut débit présentent un important potentiel de réduction des coûts par rapport aux technologies cristallines utilisant le silicium.
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Durch meinen deutsch-französischen Hintergrund bin ich auf interkulturelle Unterschiede besonders aufmerksam. Ich erkenne, was andere nicht erkennen: zum Beispiel, dass das in dem Ursprungstext benutzte Bild in der Zielkultur unpassend ist. Ich weiß, Nuancen zu erkennen und weiß, wie ich sie in meine Muttersprache optimal rüberbringe.
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