RF superimposed DC sputtering
Italian translation: spruzzatura catodica a corrente continua sovrapposta a radiofrequenza
| GLOSSARY ENTRY (DERIVED FROM QUESTION BELOW) | ||||||
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| 09:01 Aug 3, 2019 |
| English to Italian translations [PRO] Tech/Engineering - Engineering (general) | |||||
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|  Selected response from: Marco Belcastro Bara Italy Local time: 10:23 | ||||
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Answers
9 hrs confidence: 
| rf superimposed dc sputtering polverizzazione catodica con sovrapposizione di radiofrequenze (RF) alla corrente continua (CC) Explanation: Praticamente si aumenta il livello di polverizzazione catodica ottenuto con la CC per mezzo di radiofrequenze. http://www.semicore.com/news/94-what-is-dc-sputtering http://www.semicore.com/news/92-what-is-rf-sputtering |
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23 hrs confidence:
| rf superimposed dc sputtering spruzzatura catodica a corrente continua sovrapposta a radiofrequenza Explanation: rf superimposed dc sputtering spruzzatura catodica a corrente continua sovrapposta a radiofrequenza Secondo il mio parere la risposta di EleoE si avvicina ma non centra la traduzione, perché le radiofrequenze non si possono sovrapporre alla corrente: sono infatti le due tecniche utilizzate per depositare gli ioni che diventeranno film, ad essere usate in modo combinato, e cioè nel momento in cui viene attivata la tecnica DC corrente continua, viene sovrapposta, cioè usata contemporaneamente, all'attivazione della tecnica RF radiofrequenza. Difatti, leggendo i due links di reference postati da EleoE, si capisce in modo abbastanza chiaro che sono due tecniche diverse e utilizzate con materiali diversi: una fa soltanto uso di corrente continua in una camera a vuoto, per creare lo spruzzamento degli ioni che si depositeranno sul materiale da ricoprire (che sarà conduttivo), mentre l'altra tecnica usa (certamente) la corrente continua per alimentare il circuito che in questo caso è composto non soltanto da anodo e catodo, ma anche da elettromagneti per la produzione delle radiofrequenze. Questa seconda tecnica viene usata quando il materiale da ricoprire è dielettrico, ovvero non conduttivo. La tecnica RF, in questo caso permette un efficace spargimento degli (ioni) che vanno a depositarsi sul materiale da ricoprire, cosa che non succederebbe usando la tecnica DC. Tutto questo è frutto dei due links postati da EleoE. Scusa la lungaggine, ma per spiegare come funziona ci vuole del tempo. La frase di esempio: Layers of SiuAlvOxNy were deposited onto silicon wafers by Direct Current reactive sputtering combined with Radio Frequency superimposed Direct Current sputtering, with ion assist using a sputter deposition tool supplied by AJA-Industries. La mia proposta: Strati di SiuAlvOxNy sono stati depositati sui wafer di silicio mediante/attraverso la spruzzatura/vaporizzazione catodica reattiva a corrente continua combinata con spruzzatura catodica a corrente continua sovrapposta a radiofrequenza, con deposizione assistita agli ioni mediante/impiegando/usando uno strumento di deposizione per bombardamento/spruzzo catodico fornito dalle AJA-Industries. Questo è il link dove si spiega come funziona la tecnica RF e perché e quando viene usata: http://www.semicore.com/news/92-what-is-rf-sputtering As with DC Sputtering, RF Sputtering runs an energetic wave through an inert gas in a vacuum chamber which becomes ionized. The target material or cathode which is to become the thin film coating is bombarded by these high energy ions sputtering off atoms as a fine spray covering the substrate to be coated. RF Magnetron sputtering uses magnets behind the negative cathode to trap electrons over the negatively charged target material so they are not free to bombard the substrate, allowing for faster deposition rates. Come con DC Sputtering, RF Sputtering fa scorrere un'onda energetica attraverso un gas inerte in una camera a vuoto che viene ionizzata. Il materiale o catodo bersaglio che deve diventare il rivestimento a film sottile è bombardato da questi ioni ad alta energia che sputano via gli atomi come uno spruzzo fine che copre il substrato da rivestire. Lo sputtering al magnetron RF utilizza magneti dietro il catodo negativo per intrappolare gli elettroni sul materiale bersaglio caricato negativamente in modo da non essere liberi di bombardare il substrato, consentendo velocità di deposizione più elevate. |
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