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high-k metal gate formula

German translation: Gateoxid mit hoher Dielektrizitaetskonstante und Metalle als Gateelektroden

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11:45 Feb 1, 2009
English to German translations [PRO]
Tech/Engineering - Electronics / Elect Eng
English term or phrase: high-k metal gate formula
Es geht um die neuen halogenfreien Intel Quad-Core-Prozessoren.

Vielen Dank!

Much of the energy efficiency these new processors provide comes from Intel’s advanced 45nm manufacturing capability and its reinvented transistors that use a Hafnium-based **high-k metal gate formula**.
PeterSQ
German translation:Gateoxid mit hoher Dielektrizitaetskonstante und Metalle als Gateelektroden
Explanation:
Bisher werden die meisten Transistoren so aufgebaut, dass der Transistorkanal aus monokristallinem Silizium zwischen Source- und Drainkontakt, einem Gateisolator (Gateoxid, Gatedielektrikum) aus Siliziumoxid und darueber einer Gateelektrode aus polykristalinem Silizium gebildet wird.

Da dieser Aufbau es nicht mehr zulaesst, die Gatelaenge weiter zu skalieren, wird seit Jahren daran geforscht, statt Siliziumdioxid mit einer relativ geringen Dielektrizitaetszahl ein Material mit hoher Dielektrizitaetszahl einzusetzen. Grund ist, dass man dadurch bei gleichzeitiger Erhoehung der Gateoxiddicke, dieses elektrisch "duenner" wird.

Gleichzeitig mit der Aenderung des Gateoxids muss aber auch die Gateelektrode aus einem anderen Material geformt werden, da ansonsten die Schalteigenschaften des Transistors stark veraendert wuerden. Fuer die Gateelektrode wird daher in der Literatur u.a. Tantal- und Titannitrid diskutiert.

Intel hat nun als erste Firma weltweit einen Weg gefunden, einen solchen Prozess in die Produktion zu ueberfuehren.

Uebersetzungsvorschlag fuer den Abschnitt "[...] that use a Hafnium-based **high-k metal gate formula**." ist "[...] die hafnium-basierte Gateelektroden mit hohem k (spezifische Dielektrizitaetszahl des Materials) und metallene Gateelektroden nutzen."

In der populaeren Literatur zum Thema (c'T, Heise Verlage) wird auch von HKMG oder direkt High-k/Metal Gate gesprochen, siehe zweite Referenz.
Selected response from:

Zika
Local time: 13:36
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Danke!
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Summary of answers provided
4 +1Gateoxid mit hoher Dielektrizitaetskonstante und Metalle als GateelektrodenZika
3 -1Metall-Gate mit hohem k-WertHarry Borsje


  

Answers


53 mins   confidence: Answerer confidence 3/5Answerer confidence 3/5 peer agreement (net): -1
Metall-Gate mit hohem k-Wert


Explanation:
I'd leave the formula bit out. Most refs. on the internet actually leave High-k (dielectric constant of the gate material) as it is or even use Hi-k.


--------------------------------------------------
Note added at 1 hr (2009-02-01 13:20:40 GMT)
--------------------------------------------------

Zika is right, of course. I got things mixed up a bit. A way to handle this in the translation would be to use: hoch-k-Dielektrikum-/Metall-Gate-Struktur (or -Prozess), see also http://www-public.tu-bs.de:8080/~plemmens/bachelor.html



    Reference: http://www.intel.com/cd/corporate/pressroom/emea/deu/archive...
    Reference: http://www.intel.com/cd/corporate/pressroom/emea/deu/archive...
Harry Borsje
Netherlands
Local time: 13:36
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Native speaker of: Native in DutchDutch
PRO pts in category: 139

Peer comments on this answer (and responses from the answerer)
disagree  Zika: It is not the metal gate that has a high k value, but the gate dielectric between the metal gate and the silicon channel.
25 mins
  -> Thanks. See added note.
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1 hr   confidence: Answerer confidence 4/5Answerer confidence 4/5 peer agreement (net): +1
Gateoxid mit hoher Dielektrizitaetskonstante und Metalle als Gateelektroden


Explanation:
Bisher werden die meisten Transistoren so aufgebaut, dass der Transistorkanal aus monokristallinem Silizium zwischen Source- und Drainkontakt, einem Gateisolator (Gateoxid, Gatedielektrikum) aus Siliziumoxid und darueber einer Gateelektrode aus polykristalinem Silizium gebildet wird.

Da dieser Aufbau es nicht mehr zulaesst, die Gatelaenge weiter zu skalieren, wird seit Jahren daran geforscht, statt Siliziumdioxid mit einer relativ geringen Dielektrizitaetszahl ein Material mit hoher Dielektrizitaetszahl einzusetzen. Grund ist, dass man dadurch bei gleichzeitiger Erhoehung der Gateoxiddicke, dieses elektrisch "duenner" wird.

Gleichzeitig mit der Aenderung des Gateoxids muss aber auch die Gateelektrode aus einem anderen Material geformt werden, da ansonsten die Schalteigenschaften des Transistors stark veraendert wuerden. Fuer die Gateelektrode wird daher in der Literatur u.a. Tantal- und Titannitrid diskutiert.

Intel hat nun als erste Firma weltweit einen Weg gefunden, einen solchen Prozess in die Produktion zu ueberfuehren.

Uebersetzungsvorschlag fuer den Abschnitt "[...] that use a Hafnium-based **high-k metal gate formula**." ist "[...] die hafnium-basierte Gateelektroden mit hohem k (spezifische Dielektrizitaetszahl des Materials) und metallene Gateelektroden nutzen."

In der populaeren Literatur zum Thema (c'T, Heise Verlage) wird auch von HKMG oder direkt High-k/Metal Gate gesprochen, siehe zweite Referenz.


    Reference: http://en.wikipedia.org/wiki/High-k_dielectric
    Reference: http://www.heise.de/newsticker/Intel-hat-die-32-Nanometer-Fe...
Zika
Local time: 13:36
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PRO pts in category: 8
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Danke!

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agree  Goldcoaster: Wow!
12 mins
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