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probe bias

Spanish translation: polarización de la sonda...

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15:42 Oct 18, 2007
English to Spanish translations [PRO]
Science - Chemistry; Chem Sci/Eng
English term or phrase: probe bias
"The probe bias was 4.5 kV for positive ionization and –4.00 kV for negative ionization" Está hablando de una fuente APCI. Gracias.
DanielaRLo
Local time: 07:58
Spanish translation:polarización de la sonda...
Explanation:
Inclinometer Accuracy
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Bias Error:. This error is related to a small change in the bias of the inclinometer. probe. The bias is usually eliminated during data reduction, ...
www.slopeindicator.com/pdf/course material/accuracy.pdf - Similar pages
Bias-Shift Errors
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In the graph at right, each of the datasets includes a bias-shift error. What Causes. Bias-Shift? Rough Handling:. Dropping the probe is certain to change ...
www.slopeindicator.com/pdf/course material/bias-shift error... - Similar pages

1991 From: Guillermo Maldonado <maldo7@LatinMail.com> August 08, 2001 Subject: Consulta Tecnica
Hola Amigos.... Ante todo les pido disculpas por tener el atrevimiento de escribirles por aqui y no por el foro, pero quiero asegurarme de que su respuesta a mi pregunta me llaguen directamente a mi correo electronico y es la siguiente: He estado metido muy de lleno con la construccion de amplificadores de potencia de audio y me ha ido muy bien con los que hasta ahora he hecho. Solo me preocupa el hecho de que hay unos amplificadores de fuente dual ( Vcc y -Vcc)que traen un control de ajuste del BIAS para la estabilizacion termica de los transistores impulsores y finales. En realidad que es el BIAS, voltaje o corriente?. Existe algun metodo general para cuadrar ese voltaje o corriente?. Como puedo hacerlo para ajustar la magnitud exacta y no correr el riesgo de dañar los transistores? Gracias por su atencion y colaboracion. Guillermo Maldonado P. Barranquilla - Colombia

Para la K237 (K236) tenemos tres apartados diferentes, Measurement,Compliance y Configuration.
Mesaurement este es el que habremos de modificar con mas frecuencia, ya que en este le diremos las características de la medida. En esta hoja encontramos 6 puntos diferentes, como podemos ver en el dibujo de la ventana de medida.
Substract R. Esta opción corrige el voltaje que aplicamos por la acción de una resistencia de la cantidad de Ohms especificada en el texto. Habremos de conectar esta opción típicamente al medir capacidades cuando lo hagamos a través del circuito de condensadores y resistencias montado en el crate.
Bias Level es el voltaje al que volverá la fuente al realizar las medidas, esto es si le decimos que repita una medida 10 veces con el Bias en 0, nos realizara la medida una vez al voltaje que sea, volverá a cero, se pondrá de nuevo al V de medida...
Bias Range: B(level),(range),(delay) nivel de salida de la fuente.
I-Source: -100,00 a +100,00 mA
V-Source: -1100,0 a +1100,0 V ( en la K236 dividiremos por 10 estas cantidades)
Delay: Retraso de la DC en ms (0-65000)
Ramp Delay: Tiempo invertido en realizar el aumento de tensión dado por Step.


Se aplicaron voltajes de polarización a los sustratos entre 0 y –200V durante el
crecimiento de la película. Se presentan los resultados sobre diferentes clases de sustratos y se
caracterizaron, utilizando diferentes técnicas de análisis como AFM, Rayos X, IR, XPS,
propiedades mecánicas.
ABSTRACT
In this work carbon nitrate CNx thin films have been deposited by a reactive r.f.
magnetron sputtering technique. During the growth of the films bias voltage between 0
to –200V were applied to the substrate. In-situ Characterization of the plasma using a
simple electrostatic Langmuir probe permitted determination of the electronic
temperature Te (approximate 8 – 11 eV). The films were analysis by AFM, X- Ray, IR,
XPS, mechanical properties

http://66.102.9.104/search?q=cache:PMr3-S6yOtkJ:assets.meter...

page 20

polarización = bias

HI 9142
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POLARIZACION DE LA SONDA. La sonda está bajo polarización con un voltaje. fijo de aproximadamente 800 mV. La polarización de la sonda es esencial para ...
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3 +2polarización de la sonda...liz askew
5tendencia/variacion debido a la sonda
Cesar Serrano


  

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Cesar Serrano
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polarización de la sonda...


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Inclinometer Accuracy
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Bias Error:. This error is related to a small change in the bias of the inclinometer. probe. The bias is usually eliminated during data reduction, ...
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1991 From: Guillermo Maldonado <maldo7@LatinMail.com> August 08, 2001 Subject: Consulta Tecnica
Hola Amigos.... Ante todo les pido disculpas por tener el atrevimiento de escribirles por aqui y no por el foro, pero quiero asegurarme de que su respuesta a mi pregunta me llaguen directamente a mi correo electronico y es la siguiente: He estado metido muy de lleno con la construccion de amplificadores de potencia de audio y me ha ido muy bien con los que hasta ahora he hecho. Solo me preocupa el hecho de que hay unos amplificadores de fuente dual ( Vcc y -Vcc)que traen un control de ajuste del BIAS para la estabilizacion termica de los transistores impulsores y finales. En realidad que es el BIAS, voltaje o corriente?. Existe algun metodo general para cuadrar ese voltaje o corriente?. Como puedo hacerlo para ajustar la magnitud exacta y no correr el riesgo de dañar los transistores? Gracias por su atencion y colaboracion. Guillermo Maldonado P. Barranquilla - Colombia

Para la K237 (K236) tenemos tres apartados diferentes, Measurement,Compliance y Configuration.
Mesaurement este es el que habremos de modificar con mas frecuencia, ya que en este le diremos las características de la medida. En esta hoja encontramos 6 puntos diferentes, como podemos ver en el dibujo de la ventana de medida.
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Bias Range: B(level),(range),(delay) nivel de salida de la fuente.
I-Source: -100,00 a +100,00 mA
V-Source: -1100,0 a +1100,0 V ( en la K236 dividiremos por 10 estas cantidades)
Delay: Retraso de la DC en ms (0-65000)
Ramp Delay: Tiempo invertido en realizar el aumento de tensión dado por Step.


Se aplicaron voltajes de polarización a los sustratos entre 0 y –200V durante el
crecimiento de la película. Se presentan los resultados sobre diferentes clases de sustratos y se
caracterizaron, utilizando diferentes técnicas de análisis como AFM, Rayos X, IR, XPS,
propiedades mecánicas.
ABSTRACT
In this work carbon nitrate CNx thin films have been deposited by a reactive r.f.
magnetron sputtering technique. During the growth of the films bias voltage between 0
to –200V were applied to the substrate. In-situ Characterization of the plasma using a
simple electrostatic Langmuir probe permitted determination of the electronic
temperature Te (approximate 8 – 11 eV). The films were analysis by AFM, X- Ray, IR,
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polarización = bias

HI 9142
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