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Source text - English A trenched field effect transistor is provided that includes (a) a semiconductor substrate, (b) a trench extending a predetermined depth into the semiconductor substrate, (c) a pair of doped source junctions, positioned on opposite sides of the trench, (d) a doped heavy body positioned adjacent each source junction on the opposite side of the source junction from the trench, the deepest portion of the heavy body extending less deeply into said semiconductor substrate than the predetermined depth of the trench, and (e) a doped well surrounding the heavy body beneath the heavy body.
Translation - German Es handelt sich um einen Graben-Feld-Effekt Transistor. Er beinhaltet: (a) ein Halbleiter-Substrat, (b) einen in das Halbleiter-Substrat reichenden Graben mit vorherbestimmter Tiefe, (c) ein Paar sich gegenüberliegenden, dotierten Kreuzungen, die durch den Graben getrennt sind, (d) ein dotierter Schwerkörper, der der Quellen-Kreuzung jeweils auf der anderen Grabenseite gegenüberliegt, wobei jeweils der tiefste Teil des Schwerkörpers weniger tief in das besagte Halbleiter-Substrat hineinreicht als die vorherbestimmte Tiefe des Grabens und (e) eine unterhalb des Schwerkörper vorhandene, den Schwerkörper umgebende, dotierte Quelle.
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