Glossary entry (derived from question below)
English term or phrase:
enhancement mode normally off transistor
Polish translation:
trazystor z kanałem wzbogacanym (normalnie wyłączony)
Added to glossary by
Frank Szmulowicz, Ph. D.
May 8, 2023 12:40
1 yr ago
12 viewers *
English term
enhancement mode normally off transistor
English to Polish
Tech/Engineering
Electronics / Elect Eng
A positive voltage above a threshold voltage will induce 2DEG under the gate contact, allowing current to flow between source and drain. In this way, an enhancement mode (normally off) transistor is created. In the first embodiment, it is preferred to remove the complete thickness of the passivation layer to form the holes
Proposed translations
(Polish)
3 +1 | normalnie wyłączony tranzystor z kanałem wzbogacanym |
Frank Szmulowicz, Ph. D.
![]() |
3 | normalnie wyłączony tranzystor typu enhancement mode |
Frank Szmulowicz, Ph. D.
![]() |
Change log
May 14, 2023 12:01: Frank Szmulowicz, Ph. D. Created KOG entry
Proposed translations
+1
1 hr
Selected
normalnie wyłączony tranzystor z kanałem wzbogacanym
Tranzystory polowe MOSFET ze zubożanym kanałem (normalnie załączony) –
zazwyczaj używane są w układach wzmacniających. Tranzystory MOSFET z kanałem wzbogacanym (normalnie wyłączony) stosuje się głównie w układach przełączających oraz wzmacniaczach mocy. Największym polem zastosowań MOSFETów w układach cyfrowych jest technologia układów scalonych CMOS.
https://lpp.pwr.edu.pl/fcp/TGBUKOQtTKlQhbx08SlkAUwxeUTgtCgg9...
zazwyczaj używane są w układach wzmacniających. Tranzystory MOSFET z kanałem wzbogacanym (normalnie wyłączony) stosuje się głównie w układach przełączających oraz wzmacniaczach mocy. Największym polem zastosowań MOSFETów w układach cyfrowych jest technologia układów scalonych CMOS.
https://lpp.pwr.edu.pl/fcp/TGBUKOQtTKlQhbx08SlkAUwxeUTgtCgg9...
4 KudoZ points awarded for this answer.
Comment: "dziękuję!
"
1 hr
normalnie wyłączony tranzystor typu enhancement mode
CHARAKTERYSTYKA TRANZYSTORA GAN
E-HEMT GS66508P-E03
Tranzystor GS66508P-E03 jest normalnie wyłączonym
tranzystorem typu enhancement mode high electron mobility
transistor (E-HEMT). Na rysunku 2 przedstawiono jego
poglądowe zdjęcie wraz z opisem elektrod oraz jego symbol
zastępczy.
https://eia.pg.edu.pl/documents/10623/32925502/ZN_WEiA_PG_47...
Naukowcy z firm Intel oraz QinetiQ zademonstrowali tranzystor typu enhancement-mode wykorzystujący antymonek indu (symbol chemiczny InSb). Pokazany prototyp tranzystora jest znacznie szybszy i bardziej energooszczędny w porównaniu z innymi tranzystorami. Intel zamierza wykorzystać nowy materiał do produkcji układów krzemowych, co umożliwi dalszy rozwój branży zgodnie z prawem Moore'a.
http://www.swiatradio.com.pl/virtual/print.php?sid=248
E-HEMT GS66508P-E03
Tranzystor GS66508P-E03 jest normalnie wyłączonym
tranzystorem typu enhancement mode high electron mobility
transistor (E-HEMT). Na rysunku 2 przedstawiono jego
poglądowe zdjęcie wraz z opisem elektrod oraz jego symbol
zastępczy.
https://eia.pg.edu.pl/documents/10623/32925502/ZN_WEiA_PG_47...
Naukowcy z firm Intel oraz QinetiQ zademonstrowali tranzystor typu enhancement-mode wykorzystujący antymonek indu (symbol chemiczny InSb). Pokazany prototyp tranzystora jest znacznie szybszy i bardziej energooszczędny w porównaniu z innymi tranzystorami. Intel zamierza wykorzystać nowy materiał do produkcji układów krzemowych, co umożliwi dalszy rozwój branży zgodnie z prawem Moore'a.
http://www.swiatradio.com.pl/virtual/print.php?sid=248
Something went wrong...